高频区熔晶体生长炉在真空、氩气、氮气和还原性气分保护下工作，周期性作业。 该设备温度可达3500℃，真空度可达到6.67×10-3Pa，具有单晶生长速度快、晶体截面大、控制技术先进等特点，可广泛应用于半导体材料、电子发射阴极材料的制备和提纯。 电器控制系统精选进口电气元件及测量元件，控制柜设有人机界面......